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簡介:單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力,可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷,同時具備較強(qiáng)的抗電磁力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用
簡介:
單晶硅壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器,單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面,實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離,玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力,可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷,同時具備較強(qiáng)的抗電磁力,適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用。
優(yōu)勢:
單晶硅技術(shù)壓力傳感器
集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊
顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn)
殼體外隔離磁感應(yīng)三按鍵參數(shù)設(shè)置
耐瞬變電壓保護(hù)端子模塊
特征:
測量范圍: 10kPa-10MPa
輸出信號: 4-20mA, 4-20mA+HART、Modbus-RTU/RS485
參考精度: ±0.2%,±0.15%,±0.1%,±0.075% URL
電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc
過程連接: M20*1.5(M), G1/2(M), G1/4(M), 1/2-14NPT(M)
測理介質(zhì): 液體、氣體、蒸汽
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