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廈門航拓電氣有限公司
主營產(chǎn)品： AB，Scheneider，Siemens，ABB，F(xiàn)ANUC，F(xiàn)OXBORO，安川，GE |
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航拓電氣 《誠信經(jīng)營》《質(zhì)量保證》《售后保障》《服務(wù)*》
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VME,TOSHIBA,HP,Yaskawa,FANUC等大型模組，有著充足的庫存，交貨期快，查詢
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施耐德140系列、AS系列
Honeywell 620系列
AB RELIANCE ELECTRIC系列
AB 1785、1756、1747、1784、2094、2098、1394C、1336F、1745等系列
ABB機(jī)器人備件 DSQC系列，F(xiàn)BM開頭，
TRICONEX系列 3503E 3805E 3604E等，motorola MVME系列，XYCOM產(chǎn)品
Siemens 6DD 6SC 6SN 6FC 6GK 6FX S5系列 等
Siemens TI 5系列開頭
Siemens Moore APACS
GE IC647/693/697/IC660系列
Omron C500系列
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DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個柵極的MOSFET。
DNAFET是一種用作生物感應(yīng)器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測相配的DNA鏈。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用于提供非?？斓闹貑ⅲP(guān)閉）體二極管的特殊FET。
HEMT（高電子遷移率晶體管，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，heterostructure FET），是運(yùn)用帶隙工程在三重半導(dǎo)體例如AlGaAs中制造的。*耗盡寬帶隙造成了柵極和體之間的絕緣。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種用于電力控制的器件。它和類雙極主導(dǎo)電溝道的MOSFET的結(jié)構(gòu)類似。它們一般用于漏源電壓范圍在200-3000伏的運(yùn)行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.
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